作业帮紫外－可见漫反射谱和晶体的带隙是如何关联起来的?实验上测量晶体的带隙,是以晶体的漫反射谱的谱线拐点处延伸至横坐标上,该横坐标就对应晶体的带隙值,不知这是为什么?原理是什么?望
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/09 20:49:18
紫外－可见漫反射谱和晶体的带隙是如何关联起来的?实验上测量晶体的带隙,是以晶体的漫反射谱的谱线拐点处延伸至横坐标上,该横坐标就对应晶体的带隙值,不知这是为什么?原理是什么?望
紫外－可见漫反射谱和晶体的带隙是如何关联起来的?
实验上测量晶体的带隙,是以晶体的漫反射谱的谱线拐点处延伸至横坐标上,该横坐标就对应晶体的带隙值,不知这是为什么?原理是什么?望不吝赐教!
紫外－可见漫反射谱和晶体的带隙是如何关联起来的?实验上测量晶体的带隙,是以晶体的漫反射谱的谱线拐点处延伸至横坐标上,该横坐标就对应晶体的带隙值,不知这是为什么?原理是什么?望
该横坐标就对应晶体的带隙值
为了区别用电导率法测得的禁带宽度，用光吸收法测得的禁带宽度又叫光学带隙。
本征吸收过程吸收光的能量大于等于带隙的大小。可以通过吸收光的能量求算带隙。
紫外可见分光计的定量基础是朗伯比尔定律：吸光度与厚度呈正比。
对于半导体吸收边和吸收系数呈一定的关系：aE=A(E-Eg)m；两边同时取对数：ln(aE)=lnA+mln(E-Eg)
m的取值和半导体带隙的种类有关；A...
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为了区别用电导率法测得的禁带宽度，用光吸收法测得的禁带宽度又叫光学带隙。
本征吸收过程吸收光的能量大于等于带隙的大小。可以通过吸收光的能量求算带隙。
紫外可见分光计的定量基础是朗伯比尔定律：吸光度与厚度呈正比。
对于半导体吸收边和吸收系数呈一定的关系：aE=A(E-Eg)m；两边同时取对数：ln(aE)=lnA+mln(E-Eg)
m的取值和半导体带隙的种类有关；A是常数，所以（aE）1/m与hv作图可以得到吸收边，吸收边延长至aE=0处可以得到光学带隙Eg
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紫外－可见漫反射谱和晶体的带隙是如何关联起来的?实验上测量晶体的带隙,是以晶体的漫反射谱的谱线拐点处延伸至横坐标上,该横坐标就对应晶体的带隙值,不知这是为什么?原理是什么?望
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