1.本征半导体掺入五价元素后成为( )a..本征半导体;b.N型半导体;c.P型半导体;2.万用表直流电压档测出的电压是( ),交流电压档测出的电压是( ),示波器可 测出电压的( ).a.有效值 b

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/30 16:29:34
1.本征半导体掺入五价元素后成为( )a..本征半导体;b.N型半导体;c.P型半导体;2.万用表直流电压档测出的电压是( ),交流电压档测出的电压是( ),示波器可 测出电压的( ).a.有效值 b

1.本征半导体掺入五价元素后成为( )a..本征半导体;b.N型半导体;c.P型半导体;2.万用表直流电压档测出的电压是( ),交流电压档测出的电压是( ),示波器可 测出电压的( ).a.有效值 b
1.本征半导体掺入五价元素后成为( )
a..本征半导体;b.N型半导体;c.P型半导体;
2.万用表直流电压档测出的电压是( ),交流电压档测出的电压是( ),示波器可 测出电压的( ).
a.有效值 b.平均值 c.幅值
3.测得一放大电路中某三极管三个电极电位分别为①端U1=2V,②端U2=4.8V,③端 U3=1.3V,基极是( )
a..①端; b.②端; c.③端;
4.射随器适合作多级放大电路的输出级,是因为它的( )
a.电压放大倍数近似为1 b.ri 很大 c.rO 很小
5.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上获得的最大( ).
a.交流功率 b.直流功率 c. 平均功率
6.电压串联负反馈可以( ).
A.提高ri和 ro b.提高ri降低ro
c.降低ri提高了ro d.降低ri和ro
7.为了增大放大电路的输入电阻,应引入( )负反馈.
a.电压 b.电流 c.串联 d.并联
8.整流的目是( ).
a.将交流变为直流; b.将高频变为低频; c.将正弦波变为方波
9.稳压二极管构成的稳压电路,其接法是( ).
a:稳压二极管与负载电阻串联 b:稳压二极管与负载电阻并联
c:限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联
10、PN结反向向偏置时,其内电场被( ).
A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定

1.本征半导体掺入五价元素后成为( )a..本征半导体;b.N型半导体;c.P型半导体;2.万用表直流电压档测出的电压是( ),交流电压档测出的电压是( ),示波器可 测出电压的( ).a.有效值 b
楼主,我回答的比较迟.但是肯定是最好的哦!首先说下一楼的答案,错误的太多,二楼的答案不错但是他没有给你较为仔细的解释,看在我那么认真回答的份上给点分吧!谢了先!我明天考模电了,上天保佑哈(=@__@=)
1、b(本征半导体掺入五价的P元素变为N型,三价的B元素变为P型)
2、b、a、c(这个没啥好解释的了……)
3、a(给你个简易的方法:三个值中的中间值就是基级,1.3

理解了,知道了为什么,比直接知道答案要好。
否则,你也不知道所谓的答案是对的还是错的。
1、b
2、b,a,c
3、a
4、c
5、a
6、b
7、c
8、a
9、c
10、b

1. b
2. 万用表直流电压档测出的电压是( b.平均值 ),交流电压档测出的电压是( a.有效值 ),示波器可 测出电压的( c.幅值 )。
3. a
4. c
5. c
6. c
7. c
8. a
9. b
10. A

1.本征半导体掺入五价元素后成为( )a..本征半导体;b.N型半导体;c.P型半导体;2.万用表直流电压档测出的电压是( ),交流电压档测出的电压是( ),示波器可 测出电压的( ).a.有效值 b 本征半导体掺入微量的五价元素,则形成什么型半导体,其多子为什么,少子为什么? N型杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质元素,该元素的价数为( ) A.2价 B.3价 C.4价 D.5价 给本证半导体掺入杂志使其成为P或N半导体,我想知道用什么方法来掺入杂质的呢?是用高温溶解后加入其他元素再凝固?还是用其他的化学方式呢?我知道是要掺入3价或5价其他元素,我要问的是, 本征半导体掺入三价元素硼为什么会形成P型半导体?+3价为什么还是负离子? 在本征半导体中掺入微量的___价磷元素组成的半导体是___型 1.半导体的三大特性是光敏性_和_.N型半导体的形成是在本在半导体中掺入_价元素. 在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.) 五价 ( B).四价 (C.) 三价 (D)空穴 (E 在纯净半导体中掺入微量5价元素形成()型半导体? 在本征半导体中加入( )元素可形成P型半导体.A.五价B.四价C.三价 本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度? 目前的晶体管的PN结还是在本征半导体中掺杂三价和五价元素吗?可不可以在本证半导体中掺入二价和六价元素呢?这样是不是导电性能将会有很大的提高? 硅晶体中掺入五价元素构成多余壳粒的N型半导体,其多数载流子是什么? 要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的三价元素 四价元素 五价元素 六价元素 在p型半导体中,如果掺入足够量的五价元素,可将其该行为N型半导体对吗? 掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?(本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3) P型半导体和N型半导体为什么是呈电中性?在本征半导体中每产生一个电了必然会有一个空穴出现,自由电子和空穴是成对出现的,但在本征半导体硅或锗的晶体管中掺入微量三价元素硼(或镓 在本征硅中掺入正三价元素可形成什么型半导体